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ZK-3C三相可控矽調壓觸發器的觸發條件是什麼│₪▩☁₪?

時間•·╃:2022-09-21 瀏覽次數•·╃:260

  ZK-3C三相可控矽調壓觸發器採用移相觸發控制方式▩▩,輸出電壓☁•▩、電流或功率連續可調▩▩,具有恆電壓☁•▩、恆電流或恆功率的特性│▩₪◕₪。三相閘流體閉環技術觸發板的控制原理為一個典型的雙閉環控制▩▩,電流環為內環▩▩,電壓環為外環│▩₪◕₪。
 
  ZK-3C三相可控矽調壓觸發器可控矽的觸發主要取決於溫度☁•▩、供電電壓☁•▩、柵極電流等不同的變數│▩₪◕₪。當向可控矽施加電壓時▩▩,如果陽極可以與陰極相關+ve▩▩,則可控矽變成轉發偏向│▩₪◕₪。因此該閘流體進入正向阻斷狀態│▩₪◕₪。
 
  在可控矽觸發中▩▩,包括柵極驅動要求(如果使用柵極觸發)☁•▩、觸發時間(需要保持所施加的觸發激勵時間以使電路鎖存)等各個方面都很重要▩▩,各種引數的重要性取決於所使用的可控矽觸發形式│▩₪◕₪。
 
  對於要使用的柵極可控矽觸發▩▩,可控矽要在其擊穿電壓以下執行▩▩,並且還允許適當的安全裕度以適應可能發生的任何瞬變▩▩,否則可能會發生正向電壓或擊穿觸發│▩₪◕₪。
 
  開啟可控矽▩▩,柵極和陰極之間的正柵極電壓▩▩,會產生柵極電流▩▩,其中電荷被注入器件的內部p層▩▩,這有效地降低了發生正向擊穿的電壓│▩₪◕₪。可以看出▩▩,柵極電流決定了可控矽切換到其導通狀態的正向電壓│▩₪◕₪。柵極電流越高▩▩,正向擊穿電壓越低│▩₪◕₪。
 
  低電流高靈敏度可控矽在非常低的電流水平下觸發▩▩,因此需要外部柵極-陰極電阻來防止柵極區域中熱產生的洩漏電流觸發│▩₪◕₪。然而▩▩,柵極陰極電阻繞過了由陽極電壓(dv/dt)的快速變化率引起的一些內部陽極電流│▩₪◕₪。
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